面向SiC MOSFET的具有段式驱动的先进高压隔离栅极驱动器

GD3160

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面向SiC MOSFET的具有段式驱动的先进高压隔离GD

GD3160 Block Diagram

特性

主要特性

  • 高压隔离IGBT和SiC单栅极驱动IC器件功能
  • 负载电流(IL)15A(典型值)
  • 单通道
  • 漏源导通电阻:500 mOhm RDS(ON) (典型值)
  • 负载电源电压最小值-12V,最大值25V
  • 电源电压最小值4.5V,最大值40V
  • 工作环境温度为–40至125°C
  • PWM和SPI接口和输入控制器

操作

  • ±15 A分路输出栅极电流驱动
  • 可编程高压VCC稳压器输出电压:14V至21V,步进1V
  • 最大VCC输出电压:23V

保护

  • 集成的高压温度感测(TSENSE),用于NTC热敏电阻或二极管传感器,具有可编程的偏移和增益
  • 更快的VCE DeSat检测和反应时间:<1.2µs(SiC)
  • 改进的PWM死区时间范围可降低开关损耗(SiC)
  • 可编程的两级关断(2LTO)和软关机(SSD)

功能安全

  • 附加的可编程故障引脚(INTA)
  • 集成式高压故障管理(FSISO)
  • 可编程VCE输出监控

绝缘/隔离

  • 最小共模瞬态抗扰度(CMTI)>100V/ns
  • 符合UL1577的5,000Vrms电气隔离(已规划)

部件编号包含: MGD3160AM315EK, MGD3160AM335EK, MGD3160AM515EK, MGD3160AM535EK.

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