A2I20D040N_1400-2200 MHz，5 W平均值，28 V

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
A2I20D040N

A2I20D040N宽带集成电路具有片上匹配功能，适用于1400至2200 MHz的频率范围。这个多级结构的额定电压为20至32 V，涵盖所有典型的移动通信基站调制格式。

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数据手册

应用笔记

产品详情

特征

超宽的射频带宽
射频解耦漏极引脚缩减整体电路板空间
片上匹配(50 Ohm隔直输入)
集成静态电流温度补偿，具有启用/禁用功能
符合RoHS规范

射频性能表

1800-2200 MHz

典型单载波W-CDMA特征性能：V_DD = 28 Vdc，I_DQ1(A+B) = 56 mA，I_DQ2(A+B) = 220 mA，平均输出功率 = 5 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	功率附加效率 (%)	ACPR (dBc)
1800 MHz	32.7	21.8	–43.6
1900 MHz	32.6	20.7	–44.5
2000 MHz	32.8	20.1	–44.8
2100 MHz	32.9	19.9	–44.9
2200 MHz	33.3	19.7	–44.5

文档

快速参考文档类别.

1-5 / 7 文件

^数据手册
A2I20D040N 1400-2200 MHz, 5 W Avg, 28 V Data Sheet

PDF版本 0Apr 22, 2016563.5 KBA2I20D040N英语
^应用笔记
Effective Small Cell Solutions for MIMO Radios

PDF版本 0Jan 15, 2017273.2 KBAN5296英语
^应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 3May 13, 2009910.7 KBAN1907英语
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF版本 1May 12, 2004140.7 KBAN1987英语
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF版本 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977英语
^封装信息
98ASA00583D, TO-270WB-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 9.02, 18 Pins

PDF版本 BJan 22, 201686.9 KBSOT1730-1英语
^封装信息
98ASA00729D, TO-270WBG-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 18 Pins

PDF版本 BJan 18, 201688.0 KBSOT1730-2英语

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设计资源

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1-5 / 7 设计文件

^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

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^模型
A2I20D040N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00820.7 KBA2I20D040N_MDL_ADS
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^模型
A2I20D040N S-Parameters

S2P版本 0Apr 22, 2016 00:00:0022.6 KBA2I20D040N_SP
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^模型
A2I20D040N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Sep 20, 2016 00:00:002.1 MBA2I20D040N_MDL_AWR
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^{印刷电路板与电路图}
A2I20D040N 1800-2200 MHz PCB DXF file

ZIP版本 4Apr 22, 2016 00:00:00353.5 KBA2I20D040N_1800-2200_PCB
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^计算器
A2I20D040N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Aug 23, 2016 00:00:0061.5 KBA2I20D040N_MTTF_CALC
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1400-2200 MHz，5 W平均值，28 V LDMOS宽带集成射频放大器

产品详情

特征

射频性能表

1800-2200 MHz

文档

过滤方式

A2I20D040N 1400-2200 MHz, 5 W Avg, 28 V Data Sheet

Effective Small Cell Solutions for MIMO Radios

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

98ASA00583D, TO-270WB-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 9.02, 18 Pins

98ASA00729D, TO-270WBG-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 18 Pins

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A2I20D040N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2I20D040N S-Parameters

A2I20D040N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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