产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VP6300H

MRFE6VP6300HR3和MRFE6VP6300HSR3高稳定器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器）、广播（模拟和数字)、航空和无线/陆地移动应用。它们采用输入和输出未匹配设计，支持更宽的频率范围，1.8-600MHz。

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数据手册

产品详情

特性

未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
器件可用于单端或推挽配置中
工作电压最高可达50V_DD
特征参数取样自30V至50V，适用于更宽的功率范围
适用于有适当偏置的线性应用。
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
提供串联等效大信号阻抗参数
符合RoHS规范
采用NI-780-4盘卷包装。R3后缀=250个，56mm卷带宽度，13英寸卷盘。
采用NI-780S-4盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

130，230MHz宽带

典型性能：V_DD=50V，I_DQ=100mA

信号类型	输出功率 (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
脉冲（100µsec， 20%占空比）	300峰值	230	26.5	74.0	–16
连续波	300平均值	130	25.0	80.0	–15

在50Vdc，230MHz时，对于所有相角能承受65:1 VSWR的负载不匹配
- 300W连续波输出功率
- 300W脉冲峰值功率，20%占空比，100µsec
可在300W连续波运行

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别

4 文件

紧凑列表

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016版本更新 C
98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

PDFMar 21, 2016版本更新 A

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs[MRFE6VP6300H]

PDFJul 29, 2011版本更新 1

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 7 设计文件

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模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 5Jun 17, 2019 00:00:0094.98 KBMRFE6VP6300H_MDL_ADS

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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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模型
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 2010 00:00:007.09 KBMRFE6VP6300H_SP

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模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 2Mar 2, 2012 00:00:00302.74 KBMRFE6VP6300H_MDL_AWR

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印刷电路板与电路图
MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 2019 00:00:001.62 MBMRFE6VP6300H-230-MHz-Test-Fixture

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印刷电路板与电路图
MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:002.23 MBMRFE6VP6300H-87.5-108-MHz-Reference-Circuit

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计算器
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Oct 4, 2010 00:00:0060.50 KBMRFE6VP6300H_MTTF_CALC

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1.8-600MHz，300W，50V宽带射频功率LDMOS

产品详情

特性

射频性能表

130，230MHz宽带

购买/参数

文档

过滤方式

封装信息 (2)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

数据手册 (1)

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs[MRFE6VP6300H]

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

NI-780S-4L

98ASA10793D, NI-780H-4L

设计资源

设计文件

过滤方式

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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