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1-2000 MHz，4 W，28 V射频功率LDMOS
产品详情
特征
- 1960 MHz，28 V时的典型双频性能：IDQ = 50 mA，输出功率 = 4 W PEP
- 功率增益：18 dB
- 漏极效率：33%
- IMD：–34 dBc
- 900 MHz，28 V时的典型双频性能：IDQ = 50 mA，输出功率 = 4 W PEP
- 功率增益：19 dB
- 漏极效率：33%
- IMD：–39 dBc
- 在28 Vdc，1960 MHz，4 W连续波输出功率时，能承受5:1 VSWR
- 提供串联等效大信号阻抗参数
- 片上射频反馈，实现宽带稳定性
- 集成的ESD保护
- 符合RoHS规范
- 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，12 mm卷带宽度，7英寸卷盘。