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MRF13750H
MRF6V10010N
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MRF6V12500H
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MRF6VP121KH
MRF8VP13350N
MRFE6VP100H
MRFE6VS25L
MRFE6VS25N
MRF6V10010N
1090 MHz,10 W,50 V脉冲射频功率LDMOS
MRF6V10010N
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MRF6V10010NR4射频功率晶体管专为960至1400 MHz频率范围,1%至20%占空比的应用而设计。此器件适用于脉冲应用。
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RF ISO 466 image
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特征
典型脉冲性能:V
DD
= 50 V,I
DQ
= 10 mA,输出功率 = 10 W峰值(2 W平均值),f = 1090 MHz,脉冲宽度 = 100 µsec,占空比 = 20%
功率增益:25 dB
漏极效率:69%
提供串联等效大信号阻抗参数
工作电压最高可达50 V
DD
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R4后缀 = 100个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
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恩智浦 (6)
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数据手册
MRF6V10010NR4 1090 MHz, 10 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
PDF
版本 3
Jul 12, 2010
657.7 KB
MRF6V10010N
英语
应用笔记
AN1955 - Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes
PDF
版本 1
Apr 29, 2014
112.4 KB
AN1955
英语
手册
RF Solutions for Commercial Aerospace
PDF
版本 2
Sep 4, 2015
1.9 MB
BR1608
英语
封装信息
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins
PDF
版本 E
Mar 22, 2016
51.5 KB
SOT1811-1
英语
白皮书
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper
PDF
版本 2
Sep 24, 2015
894.1 KB
RFPLASTICWP
英语
白皮书
50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications
PDF
版本 4
Sep 8, 2011
965.1 KB
50VRFLDMOSWP
英语
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MRF6V10010NR4 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program
XLS
版本 1
Apr 28, 2010 00:00:00
58.4 KB
MRF6V10010N_MTTF_CALC
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