MRFX1K80N_1800 W CW, 1.8-470 MHz, 65 V

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The MRFX1K80N is the over-molded plastic version of MRFX1K80H and will typically enable a 30% lower thermal resistance. It is based on NXP's new 65 V LDMOS technology that focuses on ease of use. This high ruggedness transistor is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub-GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 470 MHz.

The MRFX1K80N is pin-compatible (same PCB) with its ceramic version MRFX1K80H, with MRFE6VP61K25H and MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), and with MRF1K50H and MRF1K50N (1500 W @ 50 V).

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5 文件

^数据手册
MRFX1K80N 1800 W CW, 1.8-400 MHz, 65 V Data Sheet

PDF版本 0Apr 10, 20181.7 MBMRFX1K80N英语
^应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 3May 13, 2009910.7 KBAN1907英语
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212英语
^封装信息
98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 BMar 9, 201677.6 KBSOT1824-1英语
^封装信息
98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 CFeb 15, 201672.8 KBSOT1816-1英语

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

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MRFX1K80N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Sep 20, 2016 00:00:00563.7 KBMRFX1K80N_MDL_AWR
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^模型
MRFX1K80N S-Parameters

S2P版本 0Apr 10, 2018 00:00:0012.0 KBMRFX1K80N-SP
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MRFX1K80N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00228.2 KBMRFX1K80N_MDL_ADS
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^{印刷电路板与电路图}
MRFX1K80N 87.5-108 MHz PCB DXF file

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^{印刷电路板与电路图}
MRFX1K80N 87.5-108 MHz Baseplate Drawing

ZIP版本 0Apr 10, 2018 00:00:0062.4 KBMRFX1K80N-87.5-108-BASEPLATE
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MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:002.2 MBMRFX1K80N-87.5-108-MHz-Reference-Circuit
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MRFX1K80N 230 MHz Narrrow Band PCB DXF file

ZIP版本 0Apr 10, 2018 00:00:0015.9 KBMRFX1K80N-230NB-PCB
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MRFX1K80N 230 MHz Test Fixture Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:004.4 MBMRFX1K80N-230-MHz-Test-Fixture
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^计算器
MRFX1K80N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Mar 21, 2019 00:00:0083.3 KBMRFX1K80N-MTTF-CALC
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1800 W CW over 1.8-470 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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MRFX1K80N 1800 W CW, 1.8-400 MHz, 65 V Data Sheet

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

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MRFX1K80N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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