600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

  • 建议不要在新设计中使用本页介绍的产品。

封装/质量

质量信息

部分/封装 物质声明 安全保障/功能安全 Peak Package Body Temperature(PPT)(℃) Maximum Time at Peak Temperature(s)
无铅焊接 无铅焊接