本页内容反映了我们大部分的标准处理程序,但也有例外。如果需要进一步说明,请联系我们

我们的产品分析实验室有两个功能:

  1. 利用我们的专业知识和分析能力开发新产品和新技术
  2. 为持续改进工作和客户上报的问题提供初步取证分析

结合实验室团队丰富的经验、行业标准技术和内部开发的工具,产品分析人员能从芯片IC上数以亿计的晶体管中找出亚微米级的缺陷。这种方式有助于准确了解故障的根本原因,迅速采取纠正措施,并防止出现类似缺陷。

我们的产品分析流程有6个步骤:

第1步 - 在实验室环境再现故障

产品分析人员将在这一关键步骤中使用评估板、数字测试仪等工具。在此过程中采取了特别护理(如ESD保护),以确保不出现新的缺陷。

再现故障

第2步 - 封装分析

使用封装分析工具和技术(例如光学检查、扫描声学显微镜、X-射线),我们首先确定芯片周围的IC封装是否存在物理缺陷。

如果发现封装有缺陷,我们将在封装层之间进行探查,精确定位造成故障模式的部件。它个过程会反复进行。我们先探查最顶端的两个封装层。如果没有检测到有缺陷的信号,顶层被排除,然后探查接下来的两层。

第3步 - 缺陷空间定位

如果封装中没有缺陷,我们去掉器件封装,暴露硅芯片。定位技术被用于缩小可能存在缺陷的晶体管范围。关键是检查芯片时不破坏它。

除了像光发射显微镜、热检测技术和诊断故障模拟技术以外,还可以使用可检测可见光和红外灯以及专门开发的软件的设备。

第4步 - 电气分析

确定了问题区域后,将采用高级分析技术来查明可能导致所观测到故障模式的单个晶体管或元件。

最初我们会使用微探查等非破坏性技术来进一步减少可能存在缺陷的元件数量。然后会使用原子力探查等破坏性技术来确定导致故障模式的单个元件,并通过电气手段确定缺陷元件的特征。

高级电分析
高级电分析

如果确定缺陷区域出现在器件封装上,封装分析人员将在封装层之间进行探查,以进一步查明导致故障模式的元件。分析人员一开始会探查最顶端的两个封装层。如果未检测到缺陷信号,分析人员将拆除刚刚探查过的最顶端两层,然后继续探查下两个封装层。分析人员将重复这一过程,直到发现缺陷信号。

第5步 - 物理分析

在这一步中,我们鉴别明确与故障元件的电特征相关的物理缺陷。

常用的技术是有选择地去除IC的每一个封装层或封装层,并在电子或光学显微镜下检察它。如果缺陷是在两层之间,也可以使用交叉切片。如果缺陷的物理和空间特征不充分,可能要进行材料分析。我们的产品分析实验室提供各种分析技术,包括能量色散谱(EDS)和透射电子显微术(TEM)等。

物理分析

第6步 - 记录分析结果

我们会使用电分析和物理分析的结果得出本身存在的故障机理,解释观测到的故障模式。然后,再记录故障的根本原因和产品分析步骤。报告会广泛提供给必要的团队,以便立即采取纠正措施。

记录分析结果
记录分析结果

新一代产品

恩智浦分析实验室还与研发团队密切合作,设计符合客户需求并超出客户质量预期的下一代产品。这些实验室能够在产品开发阶段的早期发现潜在的问题,帮助我们更快且更高质量地向您提供新产品。

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