500-5000 MHz,9 W,12 V功率FET GaAs pHEMT

MRFG35010ANT1

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特征

  • 3550 MHz连续波时,9 W P1dB
  • 卓越的相位线性和组时延特征
  • 高效率和高线性
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,16 mm卷带宽度,13英寸卷盘。

射频性能表

LTE, W-CDMA

典型单载波W-CDMA性能:VDD = 12 Vdc,IDQ = 130 mA,3.84 MHz信道带宽,输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。
频率
(MHz)
输出功率
(W)
Gps
(dB)
ACPR
(dBc)
ηD
(%)
IRL
(dB)
750114.5–44.024.0–15
2140113.0–43.025.0–14
2650111.5–43.030.0–15

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