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GaAs线性功率晶体管
MRFG35003N6AT1
MRFG35010ANT1
MRFG35010AR1
MRFG35003N6AT1
3.5 GHz,3 W,6 V功率FET GaAs pHEMT
MRFG35003N6AT1
接收通知
MRFG35003N6AT1不建议新设计使用。
MRFG35003N6AT1专为500至5000 MHz频率范围的WLL/MMDS/BWA或UMTS驱动器应用而设计。该器件未匹配,适用于AB类用户端设备(CPE)应用。
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RF ISO 466 image
数据手册
产品详情
特点
特征
典型单载波W-CDMA性能:V
DD
= 6 V,I
DQ
= 180 mA,平均输出功率 = 450 mW,3550 MHz,信道带宽 = 3.84 MHz,输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。
功率增益:10 dB
漏极效率:27%
5 MHz偏移时的ACPR:在3.84 MHz信道带宽时为–42.5 dBc
3550 MHz连续波时,3 W P1dB
卓越的相位线性和组时延特征
高增益、高效率和高线性
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
部件编号包含:
MRFG35003N6A.
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恩智浦 (3)
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数据手册
简介
封装信息
清除全部
3 文件
排序方式
相关性
最新/按日期排序
数据手册
MRFG35003N6AT1, 3.5 GHz, 3 W, 6 V Power FET GaAs PHEMT
PDF
版本 2
Jun 19, 2009
221.0 KB
MRFG35003N6A
英语
简介
Power GaAs pHEMT Fact Sheet
PDF
版本 0
Apr 12, 2012
243.3 KB
GAASPHEMTFS
英语
封装信息
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins
PDF
版本 E
Mar 22, 2016
51.5 KB
SOT1811-1
英语
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