1-2700 MHz, 125 W连续波,50 V宽带射频功率GaN on SiC晶体管

MMRF5014H

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特征

  • 十年带宽使用寿命
  • 低热阻
  • 先进的GaN on SiC工艺,提供极高的功率密度
  • 输入匹配,可延长宽带使用时间
  • 高耐用性,VSWR > 20:1
  • 符合RoHS规范
  • 适用于军事终端应用,包括:
    • 窄带和多倍频程宽带放大器
    • 雷达
    • 干扰信号
    • EMC测试
  • 同样也适用于商业应用,包括:
    • 公共移动无线通信,包括紧急服务对讲机
    • 工业、科技和医疗
    • 实验室宽带放大器
    • 无线基础架构

射频性能表

Typical Narrowband Performance

VDD = 50 Vdc, IDQ = 350 mA, TA = 25°C

Typical Wideband Performance

VDD = 50 Vdc, TA = 25°C

Load Mismatch/Ruggedness

1. Measured in 2500 MHz narrowband test circuit.
2. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.
3. Measured in 200-2500 MHz broadband reference circuit.
4. Measured in 1300-1900 MHz broadband reference circuit.

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