TAA3033主动预充电控制器IC

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框图

TAA3033

TAA3033 Block Diagram

特性

控制器规格

  • 符合AEC-Q100一级标准:工作环境温度范围为−40°C至+125°C
  • 宽电源电压范围:11V至36V
  • 支持低边与高边操作
  • 适用于驱动硅(Si)和碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • 内部集成电路(I²C)接口,用于配置控制参数
  • 用于启动预充电周期的使能输入
  • 用于指示预充电周期结束的“就绪”输出
  • 用于触发开关与连接故障保护的故障输出
  • 外形小巧的SO14封装

控制器功能

  • 采用连续导通模式(CCM)的受控预充电电流调节技术
  • 峰值电流与纹波可通过内部比较器电平和外部感测电阻进行调节
  • 占空比操作范围非常宽,从0.1%至99.9%
  • 以低占空比开始预充电,以防止电流失控
  • 以最大占空比运行结束预充电

文档

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2 文件

紧凑列表

设计资源

硬件

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2 硬件

软件

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1 软件文件

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支持

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