Model 40

MOS模型40是基于物理学的晶体管模型，可用于电路仿真和采用绝缘硅(SOI)工艺的模拟高压应用的IC设计中。该模型描述了一种采用SOI的累积/耗尽型MOSFET的电特性。该模型可用作高压MOS器件的漏极延伸，如横向双扩散MOS (LDMOS)、纵向双扩散MOS (VDMOS)以及扩展的MOS晶体管。

这些模型都包含在名为SiMKit的动态加载库中。SiMKit与恩智浦使用的以下电路仿真器相关：

• 恩智浦的电路仿真器Pstar
• Cadence的电路仿真器Spectre
• Agilent的电路仿真器。
• 您可以 在此 了解如何下载并安装这些库。