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MOS模型31是基于物理学的晶体管模型，可用于电路仿真和模拟高压应用的IC设计中。该模型描述了一种结型隔离累积/耗尽型MOSFET的电特性。该模型可用作高压MOS器件的漏极延伸，如横向双扩散MOS (LDMOS)、纵向双扩散MOS (VDMOS)以及扩展的MOS晶体管。
这些模型都包含在名为SiMKit的动态加载库中。SiMKit与恩智浦使用的以下电路仿真器相关：
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