Mextram模型精彩描述了各种工艺的垂直双极晶体管，其中包括现代SiGe工艺和强大的高压工艺晶体管。它对双极晶体管的低掺杂集电极外延层的建模非常有效，其中速度饱和、基底加宽、柯克效应和碰撞电离等效应发挥着作用。也可以建模由于基底有锗产生的效应。此外，它包含对晶体管外在因素的完整说明，包括基板电流和电容。Mextram具有温度换算公式，并且易于呈几何级扩展。与具有电路模拟器处理的自加热相比，Mextram(504级)包括完全自加热。在源代码中可完全实现自加热。
这些模型都包含在名为SiMKit的动态加载库中。SiMKit与恩智浦使用的以下电路仿真器相关：
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