产品详情

框图

MPC5510 Block Diagram

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特征

带可变长度编码(VLE)的Power Architecture e200z1内核
可选仅VLE的32/16位e200z0二级内核
16通道eDMA (增强型直接存储器存取)
存储器管理单元(MMU)，带4项转址旁路缓存(TLB)
多个低功耗模式
支持JTAG和Nexus class 2+调试
最高1.5 MB闪存，带纠错码(ECC)
闪存模块拥有同时读写(读写网)和小型分区功能，提供最优引导加载程序和EEPROM仿真支持
最高80 KB SRAM，带ECC
存储器保护单元(MPU)，有16个区域和32B粒度
本产品包含在恩智浦产品长期供货计划中，自推出后至少保证15年供货

产品长期供货计划

参与此计划的产品可保证至少10年的供货。此计划下专为汽车、电信和医疗领域而开发的产品可保证15年的供货。

了解详情

购买/参数

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设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

2 设计文件

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印刷电路板与电路图
MPC5500_OrCAD_SYMBOL

ZIP版本 1.3May 19, 2008 00:00:00155.72 KBMPC5500_ORCAD_SYMBOL

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计算器
MPC55xx EEPROM Emulation Endurance Calculator

ZIP版本 vBeta052Nov 27, 2013 00:00:007.70 MBMPC55XX_EEE_CALC
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