随着无线基础设施不断演进以支持更高的数据速率和更密集的部署，对紧凑、高效且高性能解决方案的需求愈发关键。恩智浦A5M20TG042中功率模块，正是为下一代FDD和mMIMO系统量身打造，提供稳健且节省空间的解决方案。
25年来，FDD技术能够在用户与基站之间实现高效且同步的双向通信，被广泛应用于移动通信网络。传统上，FDD多用于宏基站技术，而如今，恩智浦通过将A5M20TG042放大器应用于mMIMO场景，显著提升了其应用广度。
A5M20TG042采用三级放大器拓扑结构，结合两级横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)驱动集成电路(IC)与基于氮化镓(GaN)的Doherty末级放大器。这种混合架构具备以下优势：
A5M20TG042在驱动级采用稳定可靠的LDMOS技术，而末级则采用具备高电子迁移率的GaN技术，实现更快的开关速度与更高的工作频率。此外，GaN还具备优异的热导性，可支持更高的功率密度，同时其高击穿电压确保在高压条件下依然保持稳定性能。这种技术组合确保模块在1800–2200MHz频段内展现卓越性能：在额定功率下实现高达49%的效率，整个系列的效率达42%。
准备好升级网络性能了吗？立即使用A5M20TG042，探索恩智浦下一代模块，了解更多信息。
A5M20TG042在设计时充分考虑系统部署的便捷性，是一款优秀的解决方案。我们MPM的主要功能包括：
| 主要特性 | 优势 |
|---|---|
| 3级模块解决方案(2级LDMOS IC + GaN Doherty放大器) | 内嵌铜块(Cu)，提高热管理能力，提升效率
|
| 专为10W天线应用打造 | 紧凑封装节省功放(PA)空间 |
| 瞬时带宽达395MHz，支持双频段运行 | 兼容LGA封装，支持贴装与回流焊接工艺 |
A5M20TG042现已开放订购，并可通过我们的专属样品计划申请样品。请访问恩智浦官网，下载数据手册，探索参考设计，了解该模块如何助力您的下一次无线部署。
| 板器件 | 频率 | 板说明 | 应用 | 可供货 |
|---|---|---|---|---|
| A5M20TG042 | 1800-2200MHz | 适用于B1-B3/B25-B66频段的32T32R mMIMO系统 | FDD MIMO；宏基站驱动器 | 联系当地分销合作伙伴 |
Megan是恩智浦半导体射频功率解决方案营销团队的战术营销人员。Megan Faust曾与恩智浦射频移动通信基础设施和多市场领域团队合作。恩智浦RP应用包括SiGe、LDMOS和GaN射频解决方案设计，适用于移动和通信基础设施以及消费电子、工业和航空航天/国防领域。恩智浦射频功率营销团队致力于使射频更易于使用，为客户提供支持，并应对新的细分市场中的问题。Megan负责射频器件和评估板的物流、运营和分销支持，同时支持恩智浦射频功率的创新和市场开发。Megan获得了亚利桑那州立大学(Arizona State University)的商业文学学士学位和应用商业数据分析认证。