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NXP design kit: RF small signal
NPN宽频带硅锗RF晶体管
BFU768F 接收通知
产品详情
特征
- 低噪声高线性度RF晶体管
- 110 GHz fT硅锗技术
- 可实现低电流和高增益的最佳线性度
- 低最小噪声系数：0.50 dB（2.4 GHz时）和0.74 dB（5.8 GHz时）
- 适合2.4 GHz ISM频段和4.9 GHz至5.9 GHz U-NII频段的低元器件数Wi-Fi LNA应用电路，具有优化的RF性能：
- 低电流：10.8 mA
- 噪声系数：< 1.2 dB
- 增益：13.1 dB（2.4 GHz时），12.2 dB（5 GHz时）
- 高IP3：15.7 dBm（2.4 GHz时），18.8 dBm（5 GHz时）
- 极快的开/关时间
- 无条件稳定
- 通过不同应用电路可实现的更高的IP3、更高的增益或更低的噪声系数
Target Applications
- 高线性度应用
- 中等输出功率应用
- Wi-Fi / WLAN / WiMAX
- ZigBee