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射频宽带晶体管
<2 GHz 射频宽带晶体管
6 - 18 GHz宽带晶体管
6 - 18 GHz宽带晶体管
BFS25A
BFT93
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F
BFU730F
BFU730LX
BFU760F
BFU768F
BFU790F
BFU910F
ON5088
BFU710F
NPN宽频带硅锗RF晶体管
BFU710F
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NPN硅锗微波晶体管,适合高速、低噪声应用,采用4针双射极SOT343F塑料封装。
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sot343f_3d
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特点
特征
110 GHz f
T
硅锗技术
高最大功率增益:14 dB(12 GHz时)
低噪声高增益微波晶体管
噪声系数(NF) = 1.45 dB(12 GHz时)
Target Applications
DBS LNB中的第2 LNA级以及混频器级
AMR
蓝牙
FM收音机
GPS
Ka频段振荡器DRO
配备低电流电池的应用
用于微波通信系统的低噪声放大器
微波驱动器/缓冲器应用
移动电视
RKE
ZigBee
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恩智浦 (4)
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NPN wideband silicon germanium RF transistor
PDF
版本 1.0
Apr 20, 2011
129.4 KB
BFU710F
英语
用户指南
BFU6xx/BFU7xx Transistor Starter Kit Users Manual
PDF
版本 1.0
Apr 10, 2012
57.6 KB
UM10559
英语
手册
NXP BFU6x0F and BFU7x0F: QUBiC4 Si and SiGe:C transistors for any RF function
PDF
版本 0
Apr 29, 2017
354.5 KB
75017156
英语
封装信息
Plastic surface-mounted flat pack package; 4 leads
PDF
版本 1.0
Feb 8, 2016
192.2 KB
SOT343F
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Apr 23, 2019 00:00:00
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SPAR_BFU710F
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NXP design kit: RF small signal
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May 12, 2016 00:00:00
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NXP_DESIGN_KIT_RF_SMALLSIGNAL
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