A2I09VD030N_575-960 MHz, 4 W平均值, 48 V

A2I09VD030N宽带集成电路具有片上匹配功能，适用于575至960 MHz的频率范围。这个多级结构的额定电压为48至55 V，涵盖所有典型的移动通信基站调制格式。

产品详情

特征

片上匹配(50 Ohm隔直输入)
集成静态电流温度补偿，具有启用/禁用功能
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范

射频性能表

900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQ1(A+B) = 46 mA, I_DQ2(A+B) = 154 mA, Pout = 4 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
920 MHz	34.4	19.9	–45.0
940 MHz	34.5	20.0	–44.6
960 MHz	34.3	19.8	–44.3

700 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQ1(A+B) = 50 mA, I_DQ2(A+B) = 150 mA, Pout = 4 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
728 MHz	30.9	19.6	–44.7
748 MHz	31.1	19.5	–45.5
768 MHz	31.2	19.3	–46.2

文档

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1-5 / 7 文件

^数据手册
A2I09VD030N 575-960 MHz, 4 W Avg, 48 V Data Sheet

PDF版本 0498.4 KBA2I09VD030N中文, 英语
^应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 3May 13, 2009910.7 KBAN1907英语
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF版本 1May 12, 2004140.7 KBAN1987英语
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF版本 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977英语
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212英语
^封装信息
98ASA00684D, TO-270WBG-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 16 Pins

PDF版本 AMar 11, 201684.9 KBSOT1722-3英语
^封装信息
98ASA00630D, TO-270WB-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 3.05, 16 Pins

PDF版本 AFeb 15, 201680.2 KBSOT1722-1英语

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1-5 / 7 设计文件

^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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A2I09VD030N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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A2I09VD030N, A2I09VD030GN S-Parameters

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^模型
A2I09VD030N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:001.2 MBA2I09VD030N_MDL_ADS
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^{印刷电路板与电路图}
A2I09VD030N PCB DXF file

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^计算器
A2I09VD030N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Jul 6, 2017 00:00:00104.5 KBA2I09VD030N_MTTF_CALC
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575-960 MHz，4 W平均值，48 V Airfast^®宽带集成射频LDMOS放大器

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射频性能表

900 MHz

700 MHz

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A2I09VD030N 575-960 MHz, 4 W Avg, 48 V Data Sheet

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00684D, TO-270WBG-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 16 Pins

98ASA00630D, TO-270WB-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 3.05, 16 Pins

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A2I09VD030N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00684D, TO-270WBG-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 16 Pins

98ASA00630D, TO-270WB-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 3.05, 16 Pins

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