BGS8M2 LTE LNA的演示板

OM17006

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支持的器件

射频

LTE LNA

特性

主要特性

  • BGS8M2优化用于1805MHz至2200MHz频率。
    • 噪声系数(NF)=0.9dB
    • 增益:14.4dB
    • 旁路开关插入损耗:2.2dB
    • -3.5dBm高输入1dB压缩点
    • 3.5dBm的高带外IP3i
    • 180GHz转接频率——SiGe:C技术
    • 可实现简易设计的集成式温度稳定型偏置

连接

  • 解耦了输入和输出DC
  • 集成输出匹配

电源管理

  • 电源电压范围:1.5V至3.1V
  • 5.8mA极低电源电流时性能最佳
  • 掉电模式耗电电流<1µA
  • 只需一个输入匹配电感和一个电源解耦电容

尺寸

  • 1.1mmx0.7mmx0.37mm;0.4mm间距:SOT1232

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  • OM17006

  • Demoboard for BGS8M2 LTE LNA.

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