设计文件
3 设计文件
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模型
A5G08H800W19N Peaking Class AB S-Parameters
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模型
A5G08H800W19N Carrier Class AB S-Parameters
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模型
A5G08H800W19N Peaking Class C S-Parameters
865-960MHz，112W平均值，50V Airfast®射频功率GaN晶体管
A5G08H800W19N 接收通知
这款112W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为865到960MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。
该部件的特征参数和性能适用于运行在865–960MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。
产品详情
特性
- 高终端阻抗，支持出色的宽带性能
- 先进的高性能内部封装Doherty
- 利用新一代信号提升线性化误差矢量幅值
- 可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
- 塑料封装
- 符合RoHS规范
部件编号包含： A5G08H800W19N.
射频性能表
900MHz
典型Doherty单载波W-CDMA生产测试电路性能：VDD=50Vdc，IDQA=350mA，VGSB=–5.0Vdc，平均输出功率=112W，输入信号PAR=9.9dB@0.01% CCDF。(1)
| 频率 | Gps(dB) | ηD(%) | 输出PAR(dB) | ACPR(dBc) |
| 865MHz | 19.3 | 60.5 | 8.8 | –28.0 |
| 913MHz | 19.5 | 59.9 | 8.6 | –28.8 |
| 960MHz | 19.1 | 58.7 | 8.3 | –30.5 |