AFV09P350-04N_720-960 MHz，100 W平均值，48 V

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特征

生产测试在对称Doherty配置中进行
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

900 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 48 Vdc，I_DQA = 860 mA，V_GSB = 0.9 Vdc，平均输出功率 = 100 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
920 MHz	19.5	48.5	7.2	–29.2
940 MHz	19.5	49.5	7.1	–32.0
960 MHz	19.2	48.0	7.0	–35.7

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98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins[SOT1825-1]

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98ASA10833D[SOT1818-4]

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009版本更新 0

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistors – Data Sheet[AFV09P350-04N]

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AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 860 mA S-Parameters

S2P版本 0Jan 13, 2014 00:00:0019.2 KBAFV09P350_04N_PEAKING_860MA_SP

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AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Carrier 860 mA S-Parameters

S2P版本 0Jan 13, 2014 00:00:0019.2 KBAFV09P350_04N_CARRIER_860MA_SP

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AFV09P350-04N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Apr 2, 2015 00:00:00466.3 KBAFV09P350_04N_MDL_AWR

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AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 0.9 Vgs S-Parameters

S2P版本 0Jan 13, 2014 00:00:0019.2 KBAFV09P350_04N_PEAKING_0P9VGS_SP

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AFV09P350-04N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Jan 13, 2014 00:00:0034.2 KBAFV09P350_04N_MTTF_CALC

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720-960 MHz，100 W平均值，48 V Airfast^®射频功率晶体管

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射频性能表

900 MHz

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98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins[SOT1825-1]

98ASA10833D[SOT1818-4]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

数据手册 (1)

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistors – Data Sheet[AFV09P350-04N]

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistors – Data Sheet

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins

98ASA10833D

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AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 860 mA S-Parameters

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Carrier 860 mA S-Parameters

AFV09P350-04N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 0.9 Vgs S-Parameters

AFV09P350-04N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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