2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

The MRF6S21100HR3 and MRF6S21100HSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio, WLL and TD–SCDMA applications.

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^数据手册
MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3 2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

PDF版本 7Jan 31, 2007687.4 KBMRF6S21100H英语
^封装信息
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins

PDF版本 JMar 22, 201643.5 KBSOT1793-1英语
^封装信息
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins

PDF版本 HMar 22, 201644.1 KBSOT1792-1英语

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^模型
RF High-Power Model ADS Model Library: Click the Download button to save.

HTML版本 0Nov 21, 2008 00:00:00448 BRF_HIGH_POWER_MODELS_ADS_LIBRARY
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^计算器
MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 2Aug 6, 2006 00:00:0044.0 KBMRF6S21100H_MTTF_CALC
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2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3 2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins

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MRF6S21100HR3, MRF6S21100HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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