4 MB串行SPI EEPROM

NXH5104UK

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NXH5104 Block Diagram

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特征

  • 紧凑式晶圆级芯片封装(WLCSP)
    • 7.8 mm2,厚度为380 µm
    • 13个凸起,间距为400 µm
  • 集成式电源管理单元(PMU)
    • VDD电源电压范围:1.0 V至2.0 V
    • VDD(IO)电源电压范围:VDD至2.6 V
    • 可从ZnAir、NiMH、银-锌电池直接操作
    • 有源峰值电流限值
  • 低电流消耗
    • 平均掉电电流: < 5 µA
    • 平均读取电流:0.6 mA (VDD = VDD(IO) = 1.8 V, FSPI = 5 MHz)
    • 平均写入电流:0.7 mA (VDD = VDD(IO) = 1.8 V, FSPI = 5 MHz)
  • CMOS低功耗技术
  • 辅助电源电压支持LED直接驱动
  • 自定时程序周期
    • 256字节页写入缓冲区
    • 允许部分页面写入
  • 写保护
    • 四分之一、一半或整个内存阵列
  • 串行外设接口(SPI)
    • 1.2 V信号电平时,速度可达5 MHz
    • 1.8 V信号电平时,速度可达10 MHz
    • 支持SPI模式0 (0,0)和3 (1,1)
    • SPI 3线支持SPI模式0
  • 固定高电源模式,实现更快的启动
  • 节省空间2.80 mm x 2.74 mm,采用晶圆级芯片封装(WLCSP)
  • 高度集成:1个外部帽
  • 高可靠性
    • 数据保存期为10年
    • 500000个程序周期
    • 磨损管理
  • 工作温度范围:-20 °C至+85 °C
  • 支持不同的电源配置
  • 设备ID和唯一ID
  • 符合RoHS标准的无铅封装

部件编号包含: NXH5104UK.

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