N沟道双栅极MOSFET

BF1105R

增强型N沟道场效应晶体管。

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特征

  • 高正向传输导纳与输入电容比
  • 内部自偏置电路，可确保良好的交叉调制性能
  • 高达1 GHz的低噪声增益控制放大器

目标应用

  • 专业通信设备
  • VHF和UHF电视调谐器

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