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3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS
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产品详情
特征
- 典型脉冲性能：VDD = 32 V，IDQ = 150 mA，输出功率 = 120 W峰值(24 W平均值)，脉冲信号，f = 3500 MHz，脉冲宽度 = 100 µsec，占空比 = 20%
- 功率增益：12 dB
- 漏极效率：40%
- 上升时间：6 ns
- 下降时间：6 ns
- 典型WiMAX性能：VDD = 32 V，IDQ = 900 mA，平均输出功率 = 18 W，f = 3500 MHz，802.16d，64 QAM 3/4，4突发脉冲，7 MHz信道带宽，输入信号PAR = 9.5 dB @ 0.01% CCDF。
- 功率增益：13 dB
- 漏极效率：16%
- RCE：–33 dB (EVM — 2.2% rms)
- 在32 Vdc，3300 MHz，120 W峰值功率时，能承受10:1 VSWR
- 在32 Vdc时，能承受3 dB过驱
- 提供串联等效大信号阻抗参数
- 内部匹配，简便易用
- 工作电压最高可达32 VDD
- 集成的ESD保护
- 增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
- 符合RoHS规范
- 采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘