N-channel silicon FET | NXP 半导体

N沟道非对称平面外延结型场效应晶体管，采用SOT23封装。

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特征

低反馈电容
低噪声

目标应用

混合厚膜和薄膜电路
FM便携式收音机RF级

文档

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3 文件

紧凑列表

plastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body[SOT23]

PDFJan 9, 2017版本更新 1.1

Reflow Soldering Profile[REFLOW_SOLDERING_PROFILE]

PDFFeb 17, 2014版本更新 1.0

Archived - N-Channel Silicon Field-Effect Transistors[BF510_511_512_513_CNV]

PDFDec 2, 2010版本更新 2.1

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