PMBF4391 - N沟道FET | NXP 半导体

对称硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(FET) 采用微小型塑封，设计用于厚膜和薄膜电路。这些晶体管用于工业服务中低功耗的斩波器或开关应用。

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产品详情

特征

可互换的漏极和源极连接
小型封装

目标应用

低功耗斩波器
开关
厚膜电路和薄膜电路

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3 文件

紧凑列表

Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 215[SOT23_215]

PDFNov 16, 2012版本更新 1.0

plastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body[SOT23]

PDFJan 9, 2017版本更新 1.1

Archived - N-Channel FETs[PMBF4391_4392_4393_CNV]

PDFMar 2, 2011版本更新 2.1

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