封装信息 (1)
数据手册 (1)
-
Archived - N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistors[BF545A_BF545B_BF545C]
设计文件
收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息 电子CAD文件.
N沟道FET
N沟道对称硅结型场效应晶体管，采用SOT23封装。
产品详情
特征
- 高增益
- 低截止电压
- 低漏电水平
目标应用
- 阻抗转换器，例如在驻极体麦克风和红外检测器中
- 振荡器和混频器中的VHF放大器
购买/参数
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
文档
快速参考恩智浦 文档类别
2 文件
紧凑列表
