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Archived - N-Channel Dual-Gate MOS-FETs[BF1105_R_WR]
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N沟道双栅极MOSFET
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产品详情
特征
- 高正向传输导纳与输入电容比
- 内部自偏置电路，可确保良好的交叉调制性能
- 高达1 GHz的低噪声增益控制放大器
目标应用
- 专业通信设备
- VHF和UHF电视调谐器
