低电阻单刀单掷模拟开关

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产品详情

特征

  • 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
  • 极低的导通电阻(峰值)::
    • VCC = 1.4 V时为0.8 Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V时为0.5 Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V时为0.3 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V时为0.25 Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V时为0.25 Ω(典型值)
  • 高抗噪性
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • 低功耗CMOS
  • 闭锁性能超过JESD 78B II类A级规定的100 mA
  • 启用输入接受高于电源电压的电压
  • 1.8 V控制逻辑,VCC = 3.6 V
  • 极低的电源电流,即便输入低于VCC
  • 高电流处理能力(3.3 V供电时500 mA的连续电流)
  • 额定温度范围为-40°C至+85°C和-40°C至+125°C

Target Applications

  • 手机
  • PDA
  • 便携式媒体播放器

部件编号包含: NX3V1T384GW.

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

5 文件

设计文件

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1 设计文件

支持

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