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MRF9030N
945 MHz,30 W,26 V横向N沟道宽带射频功率MOSFET
MRF9030N
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TO-270-2, TO-272-2 Package Image
MRF9030NR1和MRF9030NBR1专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益,宽带性能,适用于26 V基站设备中的大信号共源放大器应用。
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MRF9030NR1 945 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET
PDF
版本 12
Sep 5, 2008
495.6 KB
MRF9030N
英语
应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 0
Mar 12, 2009
449.7 KB
AN3789
英语
应用笔记
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 0
Jun 7, 2006
8.3 MB
AN3263
英语
封装信息
98ASA99191D, TO, 24.07x11.18x2.59, Pitch 6.35, 2 Pins
PDF
版本 F
Feb 28, 2016
65.8 KB
SOT1733-1
英语
封装信息
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins
PDF
版本 R
Feb 26, 2016
91.2 KB
SOT1732-1
英语
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MRF9030NR1, MRF9030NBR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program
XLS
版本 2
Aug 4, 2006 00:00:00
33.3 KB
MRF9030N_MTTF_CALC
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