800 MHz，27 W平均值，28 V，单载波N-CDMA，GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET

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MRFE6S9125NR1和MRFE6S9125NBR1专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益，宽带性能优异，适用于28 V基站设备中的大信号共源放大器应用。

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ARCHIVED - MRFE6S9125NR1, MRFE6S9125NBR1 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRFE6S9125N]

PDFOct 19, 2007版本更新 0

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