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MRFE6S9125N
800 MHz,27 W平均值,28 V,单载波N-CDMA,GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET
MRFE6S9125N
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TO-270WB-4, TO-272WB-4 Package Images
MRFE6S9125NR1和MRFE6S9125NBR1专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益,宽带性能优异,适用于28 V基站设备中的大信号共源放大器应用。
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恩智浦 (1)
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ARCHIVED - MRFE6S9125NR1, MRFE6S9125NBR1 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
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版本 0
Oct 19, 2007
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MRFE6S9125N
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