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MMRF1017N
720-960 MHz, 80 W Avg., 28 V Airfast
®
RF Power LDMOS Transistor
MMRF1017N
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OM-780-2 Package Image
The MMRF1017NR3 80 W RF power LDMOS transistor is designed for wideband RF power amplifiers covering the frequency range of 720 to 960 MHz.
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RF Performance Table
RF Performance Table
900 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, Pout = 80 W Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency
G
ps
(dB)
η
D
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
920 MHz
20.0
35.9
6.3
–38.0
–14
940 MHz
20.1
36.2
6.2
–37.6
–18
960 MHz
20.0
36.1
6.1
–37.5
–17
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ARCHIVED - MMRF1017NR3 720-960 MHz, 80 W Avg., 28 V Airfast
®
RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet
PDF
版本 0
Jul 25, 2014
426.9 KB
MMRF1017N
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