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MRF7S35120HSR3
3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS
MRF7S35120HSR3
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MRF7S35120HSR3适用于脉冲宽带应用,运行频率为3100至3500MHz。
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RF ISO 465A image
数据手册
产品详情
特点
特征
典型脉冲性能:V
DD
= 32 V,I
DQ
= 150 mA,输出功率 = 120 W峰值(24 W平均值),脉冲信号,f = 3500 MHz,脉冲宽度 = 100 µsec,占空比 = 20%
功率增益:12 dB
漏极效率:40%
上升时间:6 ns
下降时间:6 ns
典型WiMAX性能:V
DD
= 32 V,I
DQ
= 900 mA,平均输出功率 = 18 W,f = 3500 MHz,802.16d,64 QAM 3/4,4突发脉冲,7 MHz信道带宽,输入信号PAR = 9.5 dB @ 0.01% CCDF。
功率增益:13 dB
漏极效率:16%
RCE:–33 dB (EVM — 2.2% rms)
在32 Vdc,3300 MHz,120 W峰值功率时,能承受10:1 VSWR
在32 Vdc时,能承受3 dB过驱
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配,简便易用
工作电压最高可达32 V
DD
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘
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恩智浦 (2)
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数据手册
ARCHIVED - MRF7S35120HSR3 3100-3500 MHz, 120 W Peak, 32 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
PDF
版本 3
Jun 4, 2010
790.5 KB
MRF7S35120HS
英语
封装信息
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins
PDF
版本 J
Mar 22, 2016
43.5 KB
SOT1793-1
英语
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设计资源
设计文件
设计文件
恩智浦 (1)
筛选
完成
过滤方式
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设计工具和文件
计算器
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1 设计文件
计算器
MRF7S35120HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program
XLS
版本 0
Oct 24, 2008 00:00:00
49.7 KB
MRF7S35120H_MTTF_CALC
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