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A2T21S161W12S
2110-2200 MHz, 38 W Avg., 28 V Airfast
®
RF Power LDMOS Transistor
A2T21S161W12S
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RF_ISO_NI780S_2L2L graphic image
The A2T21S161W12S 38 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2110 to 2200 MHz.
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选择区域:
RF Performance Table
RF Performance Table
2100 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 38 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency
G
ps
(dB)
η
D
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
2110 MHz
18.7
34.2
6.8
–32.3
–21
2140 MHz
18.9
34.0
6.8
–32.2
–18
2170 MHz
19.1
33.8
6.6
–32.3
–14
2200 MHz
19.2
34.0
6.5
–32.3
–12
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.
恩智浦 (1)
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ARCHIVED - A2T21S161W12S 2110-2200 MHz, 38 W Avg, 28 V Data Sheet
PDF
版本 0
Jul 19, 2018
328.6 KB
A2T21S161W12S
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