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1805-1990 MHz, 100 W, 28 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
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The MRF6S18100NR1 and MRF6S18100NBR1 are designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
