1805-1880 MHz，72 W连续波，28 V GSM，GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET

本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改，恕不另行通知。如需了解其他信息，请联系支持人员或您的销售代表。

滚动图片以放大

MRF8S18120HR3和MRF8S18120HSR3专为1805至1880 MHz频率范围的GSM和GSM EDGE基站应用而设计。可用于AB类和C类的所有典型蜂窝基站调制格式。

文档

快速参考恩智浦文档类别

1 文件

紧凑列表

ARCHIVED - MRF8S18120HR3, MRF8S18120HSR3 1805-1880 MHz, 72 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF8S18120H]

PDFOct 7, 2010版本更新 1

支持

您需要什么帮助?

推荐链接

在恩智浦技术社区提问