100-3600MHz，1.26W平均值，28V Airfast^® LDMOS射频功率晶体管

AFT27S010N

使用寿命终止

本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改，恕不另行通知。如需了解其他信息，请联系支持人员或您的销售代表。

AFT27S010NT1 1.26 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为100至3600 MHz之间的移动通信基站应用而设计。

查看产品图片

数据手册

产品详情

特性

增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
带有内部射频反馈的通用宽带驱动器件
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀=1000个，16mm卷带宽度，7英寸卷盘。

射频性能表

700MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 80mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
728MHz	24.3	25.5	9.3	–44.0	–12
748MHz	24.3	24.7	9.4	–43.9	–12
768MHz	24.3	23.8	9.5	–43.6	–12

2100MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 90mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2110MHz	21.6	23.2	9.1	–42.0	–11
2140MHz	21.8	23.	9.0	–41.5	–15
2170MHz	21.7	22.6	8.7	–41.7	–15

2300MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 90mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2300MHz	21.2	23.6	9.0	–40.9	–10
2350MHz	21.6	22.6	8.6	–40.0	–22
2400 MHz	20.7	21.0	8.3	–40.1	–9

2600MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 90mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2500MHz	19.6	22.0	9.8	–44.8	–7
2600MHz	21.0	22.7	9.4	–41.4	–15
2700MHz	19.6	21.2	8.9	–39.7	–5

3500MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 80mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
3400MHz	14.7	15.8	9.0	–44.9	–7
3500MHz	16.0	16.8	9.0	–44.9	–8
3600MHz	16.0	17.4	8.6	–44.2	–4

1. 所有数据均在一个装置中测量，设备焊接到散热器上。

购买/参数

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

文档

快速参考恩智浦文档类别

3 文件

紧凑列表

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

PDFFeb 15, 2016版本更新 A

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N[AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI]

PDFNov 25, 2013版本更新 0

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

PDFDec 30, 2015版本更新 3

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 11 设计文件

收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息电子CAD文件.

模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
AFT27S010N 700 MHz S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 2013 00:00:0021.17 KBAFT27S010N_700_SP

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
AFT27S010N 2100-2700 MHz S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 2013 00:00:0046.88 KBAFT27S010N_2100-2700_SP

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
AFT27S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Apr 2, 2015 00:00:00595.98 KBAFT27S010N_MDL_AWR

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
AFT27S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00229.93 KBAFT27S010N_MDL_ADS

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Nov 12, 2013 00:00:00355.74 KBAFT27S010N_2100_PCB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
AFT27S010N 2600 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Nov 12, 2013 00:00:00371.02 KBAFT27S010N_2600_PCB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
AFT27S010N 2300 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Nov 12, 2013 00:00:00370.45 KBAFT27S010N_2300_PCB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
AFT27S010N 700 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Nov 12, 2013 00:00:00360.65 KBAFT27S010N_700_PCB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
计算器
AFT27S010NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Nov 12, 2013 00:00:0033.00 KBAFT27S010N_MTTF_CALC

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

展开

100-3600MHz，1.26W平均值，28V Airfast^® LDMOS射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

700MHz

2100MHz

2300MHz

2600MHz

3500MHz

购买/参数

文档

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

支持信息 (1)

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N[AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI]

数据手册 (1)

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N

设计资源

设计文件

过滤方式

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT27S010N 700 MHz S-Parameters

AFT27S010N 2100-2700 MHz S-Parameters

AFT27S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT27S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 2600 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 2300 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 700 MHz PCB DXF file

AFT27S010NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

筛选条件

支持

您需要什么帮助?

推荐链接

100-3600MHz，1.26W平均值，28V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

700MHz

2100MHz

2300MHz

2600MHz

3500MHz

购买/参数

文档

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

支持信息 (1)

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N[AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI]

数据手册 (1)

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N

设计资源

设计文件

过滤方式

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT27S010N 700 MHz S-Parameters

AFT27S010N 2100-2700 MHz S-Parameters

AFT27S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT27S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 2600 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 2300 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 700 MHz PCB DXF file

AFT27S010NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

筛选条件

支持

您需要什么帮助?

推荐链接

100-3600MHz，1.26W平均值，28V Airfast^® LDMOS射频功率晶体管

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet