470-960 MHz, 14 W平均值, 28 V, LDMOS宽带射频功率晶体管

MRFE6S9060NR1

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特性

  • 880 MHz时的典型单载波N–CDMA性能,VDD=28V,IDQ = 450mA,平均输出功率 = 14W,IS–95 CDMA (导频,同步,寻呼,流量代码8 - 13)信道带宽 = 1.2288MHz。PAR = 9.8dB @ 0.01% CCDF。
    功率增益:21.1 dB
    漏极效率:33%
    750kHz偏移时的ACPR:30kHz带宽时为–45.7dBc
  • 在32Vdc,880MHz,3dB过驱时,能承受10:1 VSWR,旨在增强耐用性。
  • GSM EDGE应用
  • 典型GSM EDGE性能:VDD = 28V,IDQ = 500mA,平均输出功率 = 21W,全频段(920–960MHz)
    功率增益:20dB
    漏极效率:46%
    400 kHz偏移时,频谱增生 = –62dBc
    600 kHz偏移时,频谱增生 = –78dBc
    EVM:1.5%rms
  • GSM应用
  • 典型GSM EDGE性能:VDD=28V,IDQ=500mA,输出功率=60W,全频段(920–960MHz)
    功率增益:20dB
    漏极效率:63%
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 集成的ESD保护
  • 可耐225°C高温的塑料封装
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R1后缀 = 500个,24mm卷带宽度,13英寸卷盘。

部件编号包含: MRFE6S9060N.

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