1800 W连续波,1.8-400 MHz,65 V LDMOS宽带射频功率晶体管

MRFX1K80H

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产品详情

特征

  • 基于新的65 V LDMOS技术,设计实现易用性
  • 特征参数取样自30 V至65 V,适用于更宽的功率范围
  • 非匹配的输入和输出
  • 高击穿电压可增强可靠性和更高效的架构
  • 高漏极源雪崩能量吸收能力
  • 高度耐用。处理65:1 VSWR。
  • 符合RoHS规范
  • 超模压塑封中的低热阻选件:MRFX1K80N
  • 包含在产品长期供货计划中,自推出后至少保证15年供货
  • 工业、科学和医疗(ISM)
    • 激光生成
    • 等离子生成
    • 粒子加速器
    • MRI、射频消融和皮肤治疗
    • 工业加热、焊接和干燥系统
  • 电台和VHF电视广播
  • 航空航天
    • VHF全向信标(VOR)
    • HF通信
    • 气象雷达

部件编号包含: MRFX1K80H.

射频性能表

典型性能

频率
(MHz)
信号类型 VDD
(V)
输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
27 (1)连续波651800连续波27.875.6
64脉冲(100 µsec,10%占空比)651800峰值27.169.5
81.36连续波631700连续波24.576.3
87.5-108 (2,3)连续波601600连续波23.682.5
123/128脉冲(100 µsec,10%占空比)651800峰值25.969.0
144连续波651800连续波23.578.0
230 (4)脉冲(100 µsec,20%占空比)651800峰值25.175.1
325脉冲(12 µsec,10%占空比)631700峰值22.864.9

负载不匹配/耐用性

频率
(MHz)
信号类型 VSWR 输入功率
(W)
测试电压 结果
230 (4) 脉冲
(100 µsec,20%占空比)
> 65:1所有相角 14W峰值
(3 dB过驱)
65 无器件退化
1. 数据来自27 MHz窄带参考电路。
2. 数据来自87.5-108 MHz宽带参考电路。
3. 显示的数值为指定频率范围内的中心频带性能数。
4. 数据来自230 MHz的窄带生产测试装置。

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