1800-2200 MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
A2G22S160-01S 接收通知
- 存档
- 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改，恕不另行通知。如需了解其他信息，请联系支持人员或您的销售代表。
A2G22S160-01SR3 32 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为1800至2200 MHz之间的移动通信基站应用而设计。
该部件的特征参数和性能适用于运行在1800–2200 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。
产品详情
射频性能表
2100 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQ = 150 mA, Pout = 32 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 2110 MHz | 19.6 | 38.0 | 7.2 | –30.3 | –20 |
| 2140 MHz | 19.9 | 38.3 | 7.1 | –30.0 | –23 |
| 2170 MHz | 20.0 | 39.0 | 7.1 | –29.7 | –19 |
1800 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQ = 150 mA, Pout = 32 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 1805 MHz | 18.2 | 36.9 | 7.1 | –33.4 | –11 |
| 1840 MHz | 18.5 | 37.4 | 7.1 | –33.0 | –16 |
| 1880 MHz | 18.6 | 38.2 | 7.0 | –32.5 | –16 |