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MMRF1013H
2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs
MMRF1013H
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NI-1230H-4S, NI-1230S-4S Package Image
The MMRF1013HR5 and MMRF1013HSR5 are RF Power transistors designed for aerospace and defense S-band radar pulse applications operating at frequencies between 2700 and 3200 MHz.
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RF Performance Table
RF Performance Table
Typical Pulse Performance
Typical Pulse Performance: V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 100 mA
Signal Type
Pout
(W)
f
(MHz)
G
ps
(dB)
η
D
(%)
IRL
(dB)
Pulse (100 µsec,
10% Duty Cycle)
320 Peak
2900
13.3
50.5
–17
Capable of Handling 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 2900 MHz, 320 W Peak Power, 300 µsec, 10% Duty Cycle (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
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ARCHIVED - MMRF1013HR5, MMRF1013HSR5 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet
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版本 0
Jul 25, 2014
864.2 KB
MMRF1013H
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