2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs

MMRF1013H
  • 存档
  • 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改,恕不另行通知。如需了解其他信息,请联系支持人员或您的销售代表。

滚动图片以放大

产品详情

选择区域:

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

Typical Pulse Performance: VDD = 30 Vdc, IDQ = 100 mA
  • Capable of Handling 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 2900 MHz, 320 W Peak Power, 300 µsec, 10% Duty Cycle (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)

文档

快速参考 文档类别.

支持

您需要什么帮助?