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MMRF1014N
1-2000 MHz, 4 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFET
MMRF1014N
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The MMRF1014NT1 is designed for Class A or Class AB power amplifier applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.
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RF ISO PLD-1.5W Package Image
数据手册
应用笔记
产品详情
特点
特征
Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Vdc, I
DQ
= 50 mA, Pout = 4 W PEP
Power Gain: 18 dB
Drain Efficiency: 33%
IMD: –34 dBc
Typical Two-Tone Performance @ 900 MHz, 28 Vdc, I
DQ
= 50 mA, Pout = 4 W PEP
Power Gain: 19 dB
Drain Efficiency: 33%
IMD: –39 dBc
Capable of Handling 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 1960 MHz, 4 W CW Output Power
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
Integrated ESD Protection
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units,16 mm Tape Width, 7-inch Reel.
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数据手册
MMRF1014NT1 1-2000 MHz, 4 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFET - Data Sheet
PDF
版本 0
Jul 24, 2014
720.9 KB
MMRF1014N
英语
应用笔记
AN1955 - Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes
PDF
版本 1
Apr 30, 2014
112.4 KB
AN1955
英语
封装信息
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins
PDF
版本 E
Mar 22, 2016
51.5 KB
SOT1811-1
英语
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