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MMRF1015N
1-2000 MHz, 10 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFETs
MMRF1015N
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The MMRF1015NR1 and MMRF1015GNR1 are designed for Class A or Class AB power amplifier applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.
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TO-270-2, TO-270G-2 Package Image
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应用笔记
产品详情
特点
特征
Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 125 mA, Pout = 10 W PEP
Power Gain: 18 dB
Drain Efficiency: 32%
IMD: –37 dBc
Capable of Handling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 W CW Output Power
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
Qualified Up to a Maximum of 32 V
DD
Operation
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant.
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13-inch Reel.
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恩智浦 (6)
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ARCHIVED - MMRF1015NR1, MMRF1015GNR1 1-2000 MHz, 10 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFETs - Data Sheet
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版本 0
Jul 24, 2014
755.9 KB
MMRF1015N
英语
应用笔记
AN1955 - Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes
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版本 1
Apr 30, 2014
112.4 KB
AN1955
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AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages
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版本 3
May 13, 2009
910.7 KB
AN1907
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应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
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版本 0
Mar 12, 2009
449.7 KB
AN3789
英语
封装信息
98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins
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版本 D
Mar 30, 2016
86.0 KB
SOT1731-1
英语
封装信息
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins
PDF
版本 R
Feb 26, 2016
91.2 KB
SOT1732-1
英语
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