低电阻四刀双掷模拟开关

NX3DV2567

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功能

电源电压

  • 1.4 V至4.3 V

适合电源路径的低导通电阻

  • VCC = 1.8 V时,0.5Ω(典型值)
  • VCC = 2.7 V时,0.45Ω(典型值)

适合数据路径的低导通电阻

  • VCC = 1.8 V时,7Ω(典型值)
  • VCC = 2.7 V时,6Ω(典型值)

主要特性

  • 适合数据路径的低导通电阻
  • -3 db宽的带宽> 160 MHz
  • 先断后通式开关
  • 高抗噪性
  • CMOS低功耗
  • 闭锁性能超过JESD 78B II类A级规定的100 mA
  • 当VCC = 3.6 V时,控制逻辑为1.8 V
  • 控制输入接受高于电源电压的电压
  • 超低电源电流,即使在输入低于VCC时
  • 高电流处理能力(对于电源路径开关,3.3 V电源电压下的持续电流为350 mA)
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

ESD防护

  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • HBM JESD22-A114F 3A类I/O接地超过7000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V

产品长期供货计划

  • 该产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,为您的嵌入式设计确保产品的供货稳定性。NX3DV2567GU,115包含在15年产品长期供货计划中

部件编号包含: NX3DV2567GU, NX3DV2567HR, NX3DV2567HR-Q100.

文档

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