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MRF5S9070NR1
880 MHz,70 W平均值,26 V,单载波N-CDMA横向N沟道宽带射频功率MOSFET
MRF5S9070NR1
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RF ISO 1265 image
MRF5S9070NR1专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。该器件具有高增益,宽带性能,适用于26 V基站设备中的大信号共源放大器应用。
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MRF5S9070NR1, 880 MHz, 70 W, 26 V Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs
PDF
版本 7
Jun 19, 2009
561.3 KB
MRF5S9070NR1
英语
应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 0
Mar 12, 2009
449.7 KB
AN3789
英语
封装信息
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins
PDF
版本 R
Feb 26, 2016
91.2 KB
SOT1732-1
英语
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