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MW4IC915N
860-960 MHz,15 W,26 V GSM/GSM EDGE,N-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
MW4IC915N
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TO-272 Wide Body 16 Lead Iso of 1329 and 1329A
MW4IC915NB/GNB宽带集成电路专为GSM和GSM EDGE基站应用而设计。它采用恩智浦最新的高压(26至28 V) LDMOS IC技术,并集成了一个多级结构。其宽带片上设计使其可用于750至1000 MHz频率。其线性性能涵盖所有移动通信应用调制格式:GSM、GSM EDGE、TDMA、N–CDMA和W–CDMA。
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MW4IC915NBR1, MW4IC915GNBR1 860-960 MHz, 15 W, 26 V GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
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Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
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Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
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Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977
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AN1977
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98ARH99164A, TO-WB, 9.02x23.62x2.59, Pitch 0.04, 17 Pins
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版本 R
Feb 29, 2016
81.8 KB
SOT1727-1
英语
封装信息
98ASA10532D, 1329A-04, TO-272WB 16 Lead Gull Wing Plastic
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版本 F
Jun 30, 2007
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SOT1724-1
英语
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