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MRF5S19060N
1930-1990 MHz,12 W平均值,28 V,双载波N-CDMA横向N沟道射频功率MOSFET
MRF5S19060N
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TO-270WB-4, TO-272WB-4 Package Images
MRF5S19060NR1和MRF5S19060NBR1专为频率从1930至1990 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益,宽带性能,适用于28 V基站设备中的大信号共源放大器应用。
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恩智浦 (7)
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MRF5S19060NR1, MRF5S19060NBR1 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
PDF
版本 7
Oct 30, 2008
668.4 KB
MRF5S19060N
英语
应用笔记
AN1955 - Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes
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版本 1
Apr 29, 2014
112.4 KB
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AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages
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May 13, 2009
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AN1907
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应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
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版本 0
Mar 12, 2009
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AN3789
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Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
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版本 0
Jun 7, 2006
8.3 MB
AN3263
英语
封装信息
98ASA10575D, TO, 23.0x8.0x2.59, Pitch 12.0, 4 Pins
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版本 F
Mar 17, 2016
73.4 KB
SOT1735-1
英语
封装信息
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins
PDF
版本 F
Jan 18, 2016
75.9 KB
SOT1736-1
英语
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